Kioxia ve Sandisk, son gelişmeleriyle teknoloji dünyasında dikkatleri üzerine çekiyor. İki şirket, ortaklaşa geliştirdiği 10. nesil 3D NAND flaş bellek teknolojisini duyurdu. Yeni nesil bellek, önceki modellere kıyasla %33’e kadar daha yüksek performans sunarken, daha fazla bit yoğunluğu ve güç verimliliği vaat ediyor.
Konu Başlıkları
Yenilikçi Özellikler ve Teknolojik Gelişmeler
Kioxia’nın yeni 3D NAND flaş belleği, önceki nesil modellerdeki teknolojilerin üzerine önemli iyileştirmeler ekliyor. Bu yeni bellek teknolojisi, CMOS plakası ile bir hücre dizisi plakasının birleşmesiyle oluşturulan CMOS Directly Bonded to Array (CBA) teknolojisini kullanıyor. Aslında, bu özellik daha önce Kioxia’nın 8. nesil 3D NAND ürünlerinde de vardı. Ancak, bu sefer dikkat çeken esas yenilik, 4.8 GB/s’ye kadar veri iletim hızına imkan tanıyan Toggle DDR6.0 arayüz standardı oldu.
Kioxia, 10. nesil 3D NAND flaş belleğin, 8. nesle göre %33 daha hızlı olduğunu belirtiyor. Bunun yanında, bu yeni bellek teknolojisi, katman sayısında da büyük bir artış sağlıyor. 8. nesil ile karşılaştırıldığında, 322 katmanla daha fazla bit yoğunluğu sunan yeni nesil bellek, 218 katmandan 322 katmana yükseltilmiş durumda. 2027 yılına kadar 1.000 katmanlı 3D NAND üretmeyi hedefleyen Kioxia için 322 katmanlı bellek, uzun vadede oldukça umut verici bir gelişme olarak görülüyor.
Güç Verimliliğinde Çarpıcı Gelişme
Bir diğer önemli yenilik ise, Kioxia’nın yeni NAND belleğinde bulunan Power Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT) teknolojisi. Bu teknoloji, giriş için güç tüketimini %10, çıkış içinse %34 oranında azaltıyor. Kioxia, bu gelişmeyi yapay zeka teknolojilerinin hızla artan güç taleplerini karşılamak amacıyla geliştirdiğini belirtiyor. Yapay zeka uygulamalarının, veri işleme ve depolama alanlarında çok daha fazla güç harcadığı biliniyor, bu yüzden enerji verimliliğine odaklanmak son derece önemli hale gelmiş durumda.
Kioxia’nın 10. nesil 3D NAND flaş belleği, hem performans hem de enerji verimliliği açısından büyük adımlar atıyor. Şirketin hedefi, gelecekte 1.000 katmanlı 3D NAND üretimini gerçekleştirmek, ancak şu anda 322 katmanlı bu yeni model bile önemli bir başarı olarak değerlendiriliyor. Bu gelişmeler, özellikle veri depolama, yapay zeka ve yüksek performanslı işlem gereksinimleri olan uygulamalar için büyük bir yenilik anlamına geliyor.
